Sandisk et Toshiba: mémoire flash 8 Go gravée en 19 nm

Le record mondial d'Intel et Micron a duré sept jours avec la NAND produites par l'entreprise commune (IM Flash), en utilisant la technologie à 20 nm.


SanDisk et Toshiba réduit la lithographie avec l'annonce faite aujourd'hui de la mémoire MLC - (Multi Level Cell) le module Flash NAND équivalent mais gravé en 19 nm.
Le nouveau produit sera disponible avant la fin du mois, il adoptera la technologie X2 (2 bits par cellule), mais passera à X3 (3 bits par cellule) dans quelques mois.

Toshiba et SanDisk prévoit qu'il sera possible de les assembler pour en faire des blocs de mémoire de 64 Go pour une utilisation dans les smart-phones et les Tablet PC.

A ce jour, le bloc 8Gb NAND proposé par Toshiba et SanDisk est le nouveau record du monde.